臺灣人文及社會科學引文索引資料庫系統

:::

詳目顯示

回上一頁
第 1 筆 / 總合 1 筆   第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁
/1頁
題名：高壓功率電晶體結構之最佳化設計
書刊名：明新學報
作者：吳明瑞／陳啟文／李佑仁／簡鳳佐／涂高維
作者(外文)：Wu, Ming-ray／Chen, Chii-wen／Lee, Yau-jen／Chieh, Feng-tso／Tu, Kou-way
出版日期：2002
卷期：28
頁次：頁7-16
主題關鍵詞：高壓功率電晶體；場環；崩潰電壓；High-voltage power MOS device；Guard ring；Breakdown voltage
原始連結：連回原系統網址new window
相關次數：
  • 被引用次數被引用次數:期刊(0) 博士論文(0) 專書(0) 專書論文(0)
  • 排除自我引用排除自我引用:0
  • 共同引用共同引用:0
  • 點閱點閱:25
期刊論文
1.Goud, C. Basavana、Bhat, K. N.(1991)。Two-Dimensional Analysis and Design Considerations of High-Voltage Planar Junction Equipped with Field Plate and Guard Ring。IEEE Trans. Electron. Devices，38，1497-1504。  new window
2.Perugupalli, P.、Trivedi, M.、Shenai, K.、Leong, S. K.(1998)。Modeling and characterization of an 80 V silicon LDMOSFET for emerging RFIC applications。IEEE Trans. Electron Devices，45，1486-1478。  new window
3.Temple, V. A. K.(1976)。Junction termination extension, a new technique for increasing avalanche breakdown voltage and controlling surface electric fields in P-N junctions。IEEE Trans. Electron Devices，23，950-955。  new window
4.Temple, V. A. K.、Adler, M. S.(1975)。Calculation of the diffusion curvature related avalanche breakdown in high voltage planar P-N junctions。IEEE Trans. Electron Devices，22，910-916。  new window
5.Hu, C.、Chi, M. H.、Patel, V. M.(1984)。Optimum design of power MOSFET's。IEEE Trans. Electron Devices，31，1693-1700。  new window
會議論文
1.Temple, V. A. K.、Love, R. P.(1978)。A 600-V MOSFET with near ideal On-resistance。IEDM tech. Dig.。  new window
圖書
1.Baliga, B. J.(1996)。Power Semiconductor Devices。  new window
2.TMA MEDICI(1999)。Two-dimensional device simulation program。  new window
 
 
 
 
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
:::
無相關期刊論文
 
無相關博士論文
 
無相關書籍
 
無相關著作
 
QR Code
QRCODE

臺灣人文及社會科學引文索引資料庫

目前上線人數：941（臺灣：921，外國：20） ／ 本年度總使用人次：2516201 ／ 訪客人次（自102年09月）：68316376
國家圖書館著作權聲明 Copyright © 2013 All rights reserved.
本館地址: 100201臺北市中山南路20號． 本館地圖及交通資訊．
總機：(02)23619132．最佳瀏覽解析度為1024x768以上