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題名：高壓功率電晶體結構之最佳化設計
書刊名：明新學報
作者：吳明瑞／陳啟文／李佑仁／簡鳳佐／涂高維
作者(外文)：Wu, Ming-ray／Chen, Chii-wen／Lee, Yau-jen／Chieh, Feng-tso／Tu, Kou-way
出版日期：2002
卷期：28
頁次：頁7-16
主題關鍵詞：高壓功率電晶體；場環；崩潰電壓；High-voltage power MOS device；Guard ring；Breakdown voltage
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期刊論文
1.Goud, C. Basavana、Bhat, K. N.(1991)。Two-Dimensional Analysis and Design Considerations of High-Voltage Planar Junction Equipped with Field Plate and Guard Ring。IEEE Trans. Electron. Devices，38，1497-1504。  new window
2.Perugupalli, P.、Trivedi, M.、Shenai, K.、Leong, S. K.(1998)。Modeling and characterization of an 80 V silicon LDMOSFET for emerging RFIC applications。IEEE Trans. Electron Devices，45，1486-1478。  new window
3.Temple, V. A. K.(1976)。Junction termination extension, a new technique for increasing avalanche breakdown voltage and controlling surface electric fields in P-N junctions。IEEE Trans. Electron Devices，23，950-955。  new window
4.Temple, V. A. K.、Adler, M. S.(1975)。Calculation of the diffusion curvature related avalanche breakdown in high voltage planar P-N junctions。IEEE Trans. Electron Devices，22，910-916。  new window
5.Hu, C.、Chi, M. H.、Patel, V. M.(1984)。Optimum design of power MOSFET's。IEEE Trans. Electron Devices，31，1693-1700。  new window
會議論文
1.Temple, V. A. K.、Love, R. P.(1978)。A 600-V MOSFET with near ideal On-resistance。IEDM tech. Dig.。  new window
圖書
1.Baliga, B. J.(1996)。Power Semiconductor Devices。  new window
2.TMA MEDICI(1999)。Two-dimensional device simulation program。  new window
 
 
 
 
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